Mô-đun I/o khối kênh GE fanuc IC660BBA021

Email: sales6@apterpower.com    ┃ Di động :  +86-18159889985

Whatsapp: +86-18159889985       ┃ Skype:  trực tiếp:ariatang111

MÔ TẢ SẢN PHẨM

Khối đầu vào IC660BBA021 là khối đầu vào RTD được GE Fanuc thiết kế và sản xuất trong

Dòng I/O thiên tài. Nó đi kèm với 6 kênh đầu vào và có độ phân giải 0,1 độ C cho mỗi kênh đầu vào.

Khối đầu vào này cũng có 2 mạch, mỗi mạch có thể hỗ trợ 3 đầu vào. Khối đầu vào IC660BBA021 RTD hỗ trợ

cả cách ly khối với khối và cách ly nhóm với nhóm. Xếp hạng cách ly khối của khối đầu vào là 1500 Volts

và xếp hạng cách ly nhóm của nó với nhóm là 300 Volts. Khối đầu vào IC660BBA021 RTD chạy trên điện áp nguồn khối

đánh giá từ 12 đến 24 Volts DC. Nó nặng 4 pound và kích thước của nó là 9 x 3 x 4 inch. Khối đầu vào RTD này được thiết kế 

càng nhẹ và nhỏ gọn càng tốt mà không phải hy sinh bất kỳ sức mạnh hoặc độ tin cậy nào của nó.

Khối đầu vào GE Fanuc Genius I/O IC660BBA021 RTD được sử dụng để giám sát xếp hạng nhiệt độ mà nó nhận được từ

các khối đầu vào RTD khác trong hệ thống I/O Genius. Nó có thể hoạt động với RTD niken, RTD đồng hoặc RTD bạch kim. Đầu vào này

khối đi kèm với phần mềm chẩn đoán có thể phát hiện các lỗi nối dây, chập điện và các lỗi ngưỡng phạm vi như

lỗi vượt quá phạm vi và lỗi dưới phạm vi. Nếu khối đầu vào IC660BBA021 RTD được kết nối với màn hình cầm tay hoặc HHM,

màn hình này có thể nhận các thông báo cảnh báo do phần mềm chẩn đoán gửi đến nó. Mỗi đầu vào riêng lẻ trên khối 

có thể được kích hoạt để tạo báo cáo lỗi hoặc bị vô hiệu hóa khi làm như vậy.

Email: sales6@apterpower.com